Jeigu esate aistringas
informacinės technologijos ir elektronikagerbėjas, mėgstate nuolat atnaujinti savo žinias apie technologijas ir nepraleisti net menkiausių smulkmenų, pirkite
RAM atmintis PNY MN16GK2D42666 16 GB DDR4neprilygstama kaina.
- Charakteristikos: Dual
- Vidinė atmintis:
- Įtampa: 1,2 V
- Ryšys:
- 260-pin UDIMM
- 260 pin SO-DIMM
- greitis: 2666 MHz
- Jungtis: SO-DIMM
- Vėlavimas: CL19
- RAM atmintis: 16 GB
- Suderinamas: Knyginis kompiuteris
- Tipas: DDR4
PNY MN16GK2D42666. Taikoma: Knyginis kompiuteris, Vidinė atmintis: 16 GB, Atminties išdėstymas (moduliai x dydis): 2 x 8 GB, Vidinės atminties tipas: DDR4, Atminties laikrodžio greitis: 2666 MHz, Atminties formos koeficientas: 260-pin SO-DIMM, CAS latencija: 19
- Vidinė atmintis: 16 GB
- Atminties išdėstymas (moduliai x dydis): 2 x 8 GB
- Vidinės atminties tipas: DDR4
- Atminties laikrodžio greitis: 2666 MHz
- Taikoma: Knyginis kompiuteris
- Atminties formos koeficientas: 260-pin SO-DIMM
- ECC: Ne
- Buferinės atminties tipas: Unregistered (unbuffered)
- CAS latencija: 19
- Atminties kanalai: Dual-channel
- Atminties įtampa: 1.2 V
- „Intel®Extreme Memory Profile“ (XMP): Ne
